文献类型：期刊文章

作　　者：阎志军[1] 王印月[1] 徐闰[2] 蒋最敏[2]

机构地区：[1]兰州大学物理系,兰州730000 [2]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家重点基础研究专项基金 (批准号 :G2 0 0 1CB3 0 95 )资助的课题~~

年　　份：2004

卷　　号：53

期　　号：8

起止页码：2771-2774

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004448437157)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000223179200064)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：使用高真空电子束蒸发在p型Si(1 0 0 )衬底上制备了高kHfO2 薄膜 .俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学配比 ;x射线衍射测量表明刚沉积的薄膜是近非晶的 ,高温退火后发生部分晶化 ;原子力显微镜和扫描电子显微镜检测显示在高温退火前后薄膜均具有相当平整的表面 ,表明薄膜具有优良的热稳定性 ;椭偏测得在 6 0 0nm处薄膜折射率为 2 0 9;电容 电压测试得到的薄膜介电常数为 1 9.这些特性表明高真空电子束蒸发是一种很有希望的制备作为栅介质的HfO2

关 键 词：二氧化铪薄膜  电子束蒸发 高k薄膜  俄歇电子能谱 X射线衍射测量  薄膜折射率

分 类 号：O484]