文献类型：期刊文章

作　　者：朋兴平[1] 兰伟[1] 谭永胜[1] 佟立国[1] 王印月[1]

机构地区：[1]兰州大学物理系,兰州730000

出　　处：《物理学报》

基　　金：甘肃省自然科学基金 (批准号 :ZS0 11 A2 5 0 5 0 C)资助的课题~~

年　　份：2004

卷　　号：53

期　　号：8

起止页码：2705-2709

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004448437144)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000223179200051)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：通过射频反应溅射法在Si(1 1 1 )衬底上制备了不同Cu掺杂量的ZnO薄膜 .室温下测量了样品的光致发光 (PL)谱 ,所有样品的PL谱中均观察到 4 35nm左右的蓝光发光带 ,该发光带的强度与Cu掺杂量和溅射功率有关 .当溅射功率为 1 5 0W ,Cu掺杂量为 2 5 %时 ,ZnO薄膜的PL谱中出现了较强的蓝光双峰 ,而溅射功率为 1 0 0W ,Cu掺杂量为1 5 %时 ,出现了位于 4 37nm(2 84eV)处较强的蓝光峰 ,后者的取向性较好 .还研究了掺杂量和溅射功率对发光特性的影响 。

关 键 词：铜掺杂 氧化锌薄膜 光致发光谱 射频反应共溅射法  氧化物半导体材料  

分 类 号：O484]