文献类型：期刊文章

作　　者：劳燕锋[1] 吴惠桢[1]

机构地区：[1]中科院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《稀有金属》

基　　金：国家重点基础研究发展计划 ( 2 0 0 3CB3 14 90 3 )资助项目

年　　份：2004

卷　　号：28

期　　号：3

起止页码：511-515

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用有效质量模型下的 4× 4Luttinger Kohn哈密顿量矩阵对GaxIn1 -xAs/In0 .80 Ga0 .2 0 As0 .4 4P0 .56 /InP量子阱结构进行了能带计算 ,求得了该量子阱结构跃迁能量随组份及阱宽的变化关系 ,从而得到了激射波长 1.44 μm时的Ga组份x与阱宽Lw(在 5～ 10nm内取值 )的相互关系 :x=0 .3 2 0 13 +0 .0 60 93Lw-0 .0 0 5 3 4Lw2 +0 .0 0 0 17483Lw3,当阱宽为 5～ 10nm ,因而Ga组份为 0 .5 1～ 0 .5 7时 ,阱材料中产生的张应变量为 :0 .2 9%～ 0 .70 %。最后 ,我们计算了该量子阱结构的能量色散关系和光增益谱 ,从而对x与Lw 组合值进行优化。

关 键 词：半导体激光器 量子阱结构 应变  光增益谱  

分 类 号：O47]