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期刊文章详细信息

纳米磨料对硅晶片的超精密抛光研究  ( EI收录)  

Study on Ultra-Precision Polishing of Silicon Wafer by Nanosized Abrasives

  

文献类型:期刊文章

作  者:陈杨[1] 陈建清[2] 陈志刚[1] 范真[3]

机构地区:[1]江苏工业学院材料系,江苏常州213016 [2]河海大学材料系,江苏南京210098 [3]江苏大学机械学院,江苏镇江212013

出  处:《摩擦学学报》

基  金:江苏省自然科学基金资助项目(BK2002010).

年  份:2004

卷  号:24

期  号:4

起止页码:332-335

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2000、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:2004458452361)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:采用均相沉淀法制备了纳米CeO2和纳米Al2O3超细粉体,将所制备的超细粉体配制成抛光液并用于硅晶片化学机械抛光,考察了纳米磨料对硅晶片抛光效果及抛光机理的影响.结果表明,纳米CeO2磨料的抛光效果优于纳米Al2O3磨料,采用纳米CeO2磨料抛光硅晶片时可以得到在1μm×1μm范围内微观表面粗糙度Ra为0.089nm的超光滑表面,且表面微观起伏较小.

关 键 词:纳米磨料  单晶硅片 抛光 表面形貌

分 类 号:TG356.28]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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