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期刊文章详细信息

热丝CVD方法生长金刚石薄膜中石墨成份控制    

THE CONTROL OF GRAPHITE COMPONENT IN DIAMOND THIN FILMS GROWTH BY THE HOT FILAMENT CVD METHOD

  

文献类型:期刊文章

作  者:杨国伟[1] 毛友德[2] Zhang S.G[3]

机构地区:[1]航空工业部第014中心,洛阳417009 [2]合肥工业大学应用物理系,合肥230009 [3]阿拉巴马州立大学物理系

出  处:《高压物理学报》

年  份:1993

卷  号:7

期  号:4

起止页码:301-304

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:在用热丝CVD方法生长金刚石薄膜中,研究了生长条件对制备膜中石墨和非晶碳成份的影响,发现较高的碳源浓度或较低的衬底温度会使制备膜中非金刚石相碳成份增加。

关 键 词:热丝 金刚石 薄膜  石墨 汽相生长  

分 类 号:O484.1]

参考文献:

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同被引文献:

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