文献类型：期刊文章

作　　者：徐悟生[1] 许士文[1] 李宣东[2] 王岩[2] 徐玉恒[2]

机构地区：[1]哈尔滨工业大学电子科学与技术系,哈尔滨150001 [2]哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨150001

出　　处：《硅酸盐学报》

基　　金：国家高技术研究发展863计划项目(8632001AA31304);国家重点基础研究973计划项目(G19990330).

年　　份：2004

卷　　号：32

期　　号：5

起止页码：603-607

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004368345251)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：测量了掺In系列LiNbO3晶体的吸收光谱和红外透射光谱,研究了In离子在掺In系列的固液同成分配比LiNbO3晶体中的占位情况。在In3+的掺入量低于阈值3%(摩尔分数)时,In离子占据NbLi4+位;在掺入量高于阈值3%时,In3+占据NbNb位和LiLi位。利用光斑畸变法得到掺In系列LiNbO3晶体的抗光损伤能力,发现在In3+掺入量高于阈值3%时的抗光损伤能力增强,比掺入量低于阈值的晶体高1～3个数量级。通过In3+的占位情况讨论了In系列掺杂LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理。

关 键 词：掺杂铌酸锂晶体 吸收光谱 红外透射光谱 光损伤

分 类 号：O734]