文献类型：期刊文章

作　　者：项祖涛[1] 刘卫东[1] 钱家骊[1] 张雅林[2] 申豫章[2] 王淑平[2]

机构地区：[1]清华大学电机系,北京100084 [2]西安高压开关,厂西安710077

出　　处：《电工技术学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50077012);国家机械工业局九五攻关项目(97-312-02-04A)。

年　　份：2004

卷　　号：19

期　　号：7

起止页码：1-3

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004448436552)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了用磁环抑制全封闭组合电器(GIS)的特快速暂态过电压(VFTO)。通过高电压模拟试验,观测了铁氧体、非晶磁芯和金属磁粉芯三种材料的磁环,特别观测了磁饱和的影响。试验结果表明,在适当的参数配合下,磁环能够有效抑制特快速暂态过电压的幅值和陡度。

关 键 词：全封闭组合电器(GIS)  特快速暂态过电压(VFTO)  

分 类 号：TM595]