文献类型：期刊文章

作　　者：陈蒲生[1] 刘剑[2] 张昊[3] 冯文修[1]

机构地区：[1]华南大学应用物理系,广东广州510640 [2]广东省邮电科学研究院,广东广州510665 [3]中国电子科技集团公司第五研究所,广东广州510610

出　　处：《半导体技术》

基　　金：广东省自然科学基金项目(950186)

年　　份：2004

卷　　号：29

期　　号：6

起止页码：71-75

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性。分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室气压、混合气体比例、衬底温度的变化关系;给出了击穿等电性优良的PECVD形成SiOxNy薄介质膜的优化工艺条件。

关 键 词：PECVD 等离子体增强化学汽相淀积  薄介质膜  击穿机理 电学性能

分 类 号：TN304.05]