文献类型：期刊文章

作　　者：顾锦华[1] 陆轴[2] 龙路[2] 康淮[2] 钟志有[2]

机构地区：[1]中南民族大学实验教学与实验室管理中心,武汉430074 [2]中南民族大学电子信息工程学院,武汉430074

出　　处：《中南民族大学学报（自然科学版）》

基　　金：湖北省自然科学基金资助项目(2011CDB418);中南民族大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(CZW14019)

年　　份：2016

卷　　号：35

期　　号：2

起止页码：91-96

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA-PROQEUST、IC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以掺锡氧化铟陶瓷靶材作为溅射源,采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过X-射线衍射仪(XRD)和X-射线光电子能谱仪(XPS)测试表征,研究了生长温度对薄膜结晶性质和微结构性能的影响.结果表明:所沉积的ITO薄膜均具有体心立方的多晶结构,其生长特性和微结构性能明显受到生长温度的影响.生长温度升高时,薄膜(222)晶面的织构系数T_(C(222))和晶粒尺寸先增后减,而晶格应变和位错密度则先减后增.当生长温度为500 K时,ITO样品的织构系数T_(C(222))最高(1.5097)、晶粒尺寸最大(52.8 nm)、晶格应变最低(1.226×10^(-3))、位错密度最小(3.409×10^(14)m^(-2)),具有最佳的(222)晶面择优取向性和微结构性能.

关 键 词：氧化铟锡 薄膜  微结构 结晶性能  

分 类 号：O484.1]