文献类型：期刊文章

作　　者：杨柳风[1] 王婷[1]

机构地区：[1]北京理工大学机电学院,机电工程与控制国家级重点实验室,北京100081

出　　处：《强激光与粒子束》

基　　金：supported by Beijing Higher Education Young Elite Teacher Project(YETP1203)

年　　份：2015

卷　　号：27

期　　号：2

起止页码：155-159

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20151000594494)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：针对传统微带天线带宽窄和增益低等问题,设计了一种易与射频(RF)前端集成的硅基微带天线。该天线设计结合MEMS工艺,将高阻硅和低阻硅通过键合工艺形成双层硅基底,来改善微带天线介质基板的等效介电常数,有效增大了天线的带宽。同时通过在地面引入缺陷地结构(DGS),有效的抑制谐波的产生。在此基础上设计了中心频率为10 Hz,2×2天线辐射阵列。仿真结果表明,天线相对阻抗带宽达到15.9%,增益超过10.9dB,比传统微带天线有明显提升,同时满足引信中天线抗干扰的要求。

关 键 词：微带天线 MEMS 硅 缺陷地  抗干扰

分 类 号：TN822]