文献类型：期刊文章

作　　者：徐胜利[1] 沈丽[2] 陈彪[1]

机构地区：[1]首都医科大学宣武医院,北京市老年病研究所神经生物研究室,教育部神经退行性疾病重点实验室,北京,100053 [2]北京大学医学部细胞生物学系

出　　处：《中华放射医学与防护杂志》

基　　金：国家自然科学基金

年　　份：2008

卷　　号：28

期　　号：2

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：目的 采用电离辐射诱导的新生大鼠大脑皮质神经细胞损伤模型,探讨电离辐射诱导发育脑伸经细胞死亡的特征和机制.方法 新生大鼠接受单次2.0 Gy γ射线照射后,采用DNA凝胶电泳、TUNEL和HE染色鉴定大脑皮质神经细胞死亡的类型和时程变化特点;应用免疫组织化学方法研究p53和iNOS在细胞死亡过程中的可能作用.结果 DNA凝胶电泳、TUNEL和HE染色表明,2.0 Gy γ射线照射可诱导新生大鼠大脑皮质神经细胞凋亡.大脑皮质各区域凋亡指数于照射后4 h开始增高,至12 h达到峰值;照射后相同时间点各皮质区域凋亡指数比较,新皮质最高,海马次之,旧皮质最低;P53和iNOS免疫阳性细胞计数定量结果显示,照射后相同时间点各皮质区域P53和iNOS免疫阳性细胞数差异无统计学意义.结论 2.0 Gy γ射线照射诱导了新生大鼠大脑皮质神经细胞凋亡;不同皮质区域的神经细胞对电离照射引起的损伤反应是相似的,但不同皮质区域的神经细胞凋亡存在差异.

关 键 词：电离辐射 大脑皮质 凋亡 P53 诱导型一氧化氮合酶

分 类 号：R686]