文献类型：期刊文章

作　　者：葛杰[1,2] 江锦春[1,2] 胡古今[2,3] 张小龙[1] 左少华[2] 杨立红[2] 马建华[2,3] 曹萌[2] 杨平雄[1] 褚君浩[1,2,3]

机构地区：[1]华东师范大学电子工程系极化材料与器件教育部重点实验室,上海200241 [2]上海太阳能电池研究与发展中心,上海201201 [3]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083

出　　处：《红外与毫米波学报》

基　　金：Supported by National Natural Science Foundation of China(11174307,11074265,61006092,61006089);Science and Technology Commission of Shanghai Municipality(10JC1414300,10JC1404600);Knowledge Innovation Program of the Chinese Academy of Sciences(Y2K4401DG0)

年　　份：2013

卷　　号：32

期　　号：4

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、DOAJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用后硒化Cu-Zn-Sn-S电沉积预制层的方法制备了铜锌锡硫硒薄膜,其中Cu-Zn-Sn-S预制层是通过含有不同浓度的硫代硫酸钠电解液电沉积而成的.实验发现,硒化前后薄膜的性质与硫代硫酸钠浓度密切相关.SEM,EDS,XRD,Raman和透射光谱分析表明,当硫代硫酸钠的浓度为5 mM时,沉积的薄膜形貌平整,晶粒明显,组分贫锌,具有单一的铜锌锡硫硒结构,且其带隙为1.11 eV;在浓度高于5 mM下沉积的薄膜形貌粗糙并产生杂相硒化锡;在浓度低于5 mM下沉积的薄膜组分严重贫锌并生成大量的Cu2SnSe3.

关 键 词：共电沉积  硫代硫酸钠浓度  硒化  铜锌锡硫硒薄膜  

分 类 号：TM914.4]