文献类型：期刊文章

作　　者：梁景南 符春林 蔡苇 郭倩 张朝阳

Liang Jingnan 1,Fu Chunlin 1,Cai Wei 1,Guo Qian 1,Zhang Chaoyang 2(1.Chongqing University of Science and Technology,Chongqing 401331,China)(2.China Academy of Engineering Physics,Mianyang 621900,China)

机构地区：重庆科技学院 重庆科技学院冶金与材料工程学院 重庆科技学院冶金与材料工程学院 重庆科技学院 中国工程物理研究院

出　　处：《稀有金属材料与工程》

年　　份：2012

期　　号：S2

起止页码：197-200

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD（2011-2012）、EI、INSPEC、JST、SCIE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要： 采用基于密度泛函理论(DFT)的赝势平面波法,对一系列掺杂In含量不同的SnO2(ITO)的电子结构进行第一性原理研究。结果表明:随着铟含量的增加,ITO的禁带宽度逐渐增加,导电性能逐渐降低,其中铟含量为6.25%(原子分数)的禁带宽度约为0,ITO导电性最佳;当ITO薄膜厚度为1μm时,通过掺杂能够有效地提高其透明度,在可见光光谱中铟含量为6.25%的ITO透过率最佳。

关 键 词：二氧化锡 第一性原理 透明导电性  掺杂

分 类 号：TG146.4]