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高功率脉冲对PIN限幅器的毁伤效应研究
Research on HPM Pulse Damage Effect of PIN Limiter
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]天线与微波技术国防科技重点实验室南京电子技术研究所,南京210013
年 份：2012
卷 号：28
期 号：S3
起止页码：315-318
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2011、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：本文针对PIN限幅器在高功率脉冲下的毁伤效应,对PIN限幅器归一化吸收、负载和反射功率与阻抗关系进行了理论分析,并对高功率脉冲注入下PIN限幅器的瞬态响应进行了仿真分析,结果表明当输入脉冲上升沿小于5ns,输入功率大于200mW时,限幅器出现明显的尖峰泄漏现象,并且限幅能力趋于饱和,试验结果也验证了仿真分析结果的有效性。
关 键 词：高功率脉冲 PIN限幅器 毁伤效应
分 类 号：TN78]
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