期刊文章详细信息
一种10-ppm/~oC低压CMOS带隙电压基准源设计
A 10-ppm/~oC Low Voltage CMOS Band-gap Voltage Reference
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,陕西西安710071
基 金：国家高技术研究发展863计划资助项目(2002AA1Z1210)
年 份：2004
卷 号：9
期 号：4
起止页码：118-120
语 种：中文
收录情况：CSCD、CSCD2011_2012、JST、普通刊
摘 要：在对传统CMOS带隙电压基准源电路分析和总结的基础上,综合一级温度补偿、电流反馈和电阻二次分压技术,提出了一种10-ppm/oC低压CMOS带隙电压基准源。采用差分放大器作为基准源的负反馈运放,简化了电路的设计,放大器的输出用于产生自身的电流源偏置,提高了电源抑制比(PSRR)。整个电路采用TSMC 0.35mm CMOS工艺实现,采用Hspice进行仿真,仿真结果证明了基准源具有低温度系数和高电源抑制比。
关 键 词：CMOS 带隙电压基准源 低压 温度系数 电源抑制比
分 类 号：TN402]
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