文献类型：期刊文章

作　　者：王成刚[1] 韩德栋[1] 杨红[1] 刘晓彦[1] 王玮[1] 王漪[1] 康晋锋[1] 韩汝琦[1]

机构地区：[1]北京大学微电子学系,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家重点基础研究专项经费资助项目 (合同号 :G2 0 0 0 0 3 65 )~~

年　　份：2004

卷　　号：25

期　　号：7

起止页码：841-846

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2004478470173)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用室温下反应磁控溅射的方法在 p- Si(1 0 0 )衬底上制备了 Hf O2 栅介质层 ,研究了 Hf O2 高 k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流 (SIL C)效应 .对 Hf O2 栅介质泄漏电流输运机制的分析表明 ,在电子由衬底注入的情况下 ,泄漏电流主要由 Schottky发射机制引起 ,而在电子由栅注入的情况下 ,泄漏电流由 Schottky发射和 Frenkel-Poole发射两种机制共同引起 .通过对 SIL C的分析 ,在没有加应力前 Hf O2 / Si界面层存在较少的界面陷阱 ,而加上负的栅压应力后在界面处会产生新的界面陷阱 ,随着新产生界面陷阱的增多 ,这时在衬底注入的情况下 ,电流传输机制就不仅仅是由 Schottky发射机制引起 ,而存在 Frenkel- Poole发射机制起作用 .同时研究表明面积对 SIL

关 键 词：HFO2栅介质 泄漏电流输运机制  Schottky发射  Frenkel—Poole发射  SILC PACC 7360  7755  EEACC 2550  2530  

分 类 号：TN386]