文献类型：期刊文章

作　　者：邱宇[1] 雷振坤[1] 亢一澜[1] 胡明[2] 徐晗[1] 牛红攀[1]

机构地区：[1]天津大学机械学院力学系,天津300072 [2]天津大学电信学院电子科学与技术系,天津300072

出　　处：《机械强度》

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (1 0 2 32 0 30和 1 0 2 0 2 0 1 7) ;教育部留学回国人员科研启动基金资助项目~~

年　　份：2004

卷　　号：26

期　　号：4

起止页码：389-392

语　　种：中文

收录情况：AMR、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、IC、INSPEC、JST、PROQUEST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：多孔硅薄膜 硅基底结构是微机电系统 (micro electro mechanicalsystem ,MEMS)中的一个基本组元 ,其厚度为微米量级。由于薄膜与基底材料之间存在着晶格错配 ,在薄膜 基底间的界面上会出现残余应力 ,严重时会导致裂纹出现而发生断裂。微拉曼光谱法 (micro Ramanspectroscopy ,MRS)是近些年来在化学、物理、材料和力学等学科领域迅速发展的光学测量方法。文中对这一方法进行介绍 ,并且用来测量化学腐蚀多孔硅薄膜结构的残余应力 ,发现随着孔隙率的增加 ,多孔硅表面的拉伸应力逐渐增大。特别对某一样品出现裂纹区的拉曼测量表明 ,在裂纹区的残余应力急剧上升 ,达到了 0 .92GPa。使用金相显微镜观察不同孔隙率的多孔硅薄膜表面的微观形貌 ,这种不同程度的微观孔穴结构与残余应力的分布存在着紧密的联系。

关 键 词：残余应力 拉曼光谱法 孔隙率 裂纹  多孔硅

分 类 号：O348.1] O438[力学类]