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期刊文章详细信息

晶硅太阳电池氮化硅膜产生色差的影响因素研究    

The Inluence Factors Causing Color diference of Silicon Nitride Film of Crystalline Silicon Solar Cell

  

文献类型:期刊文章

作  者:涂宏波[1] 马超[1] 王学林[1] 谢斌[1] 高林[2]

机构地区:[1]浙江晶科能源有限公司,浙江海宁314416 [2]长江大学化学与环境工程学院,湖北荆州434023

出  处:《化工中间体》

年  份:2013

卷  号:9

期  号:5

起止页码:37-41

语  种:中文

收录情况:普通刊

摘  要:采用管式PECVD的方法对硅片进行氮化硅镀膜,通过分析PECVD镀膜原理,探索了硅片表面均一性、卡点的导电导热性、反应温度的均匀性以及电场均匀性对氮化硅膜色差的影响。结论表明,硅片表面微观结构差异较大会造成比表面积明显差异,从而使氮化硅薄膜厚度产生显著差异,表现出不同颜色。当导电导热性、反应温度的均匀性以及电场均匀性较差时,气体的反应速率差异较大,同一硅片不同区域的氮化硅膜层生长速率不同,膜层厚度也不同,即容易产生色差片。

关 键 词:太阳电池 氮化硅 色差 石墨舟  

分 类 号:TM914.41]

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同被引文献:

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