文献类型：期刊文章

作　　者：闫金良[1] 赵银女[2]

机构地区：[1]鲁东大学物理学院,山东烟台264025 [2]鲁东大学教务处,山东烟台264025

出　　处：《光子学报》

基　　金：国家自然科学基金(No.10974077);山东省自然科学基金(No.2009ZRB01702);山东省高等学校科技计划(No.J10LA08)资助

年　　份：2012

卷　　号：41

期　　号：6

起止页码：704-707

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用射频磁控溅射和N2气氛退火处理制备了多晶Ga2O3薄膜和Cu掺杂Ga2O3薄膜.用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、荧光光谱仪对Ga2O3薄膜和Cu掺杂Ga2O3薄膜的结构和光学性能进行了表征.结果表明,Cu掺杂后Ga2O3薄膜的结晶质量变差,透过率明显降低,吸收率增加,光学带隙减小.本征Ga2O3薄膜在紫外、蓝光和绿光出现了发光带,Cu掺杂后紫外和蓝光发射增强,且在475nm处出现了一个新的发光峰.

关 键 词：氧化镓薄膜  透射光谱 光学带隙 光致发光

分 类 号：O484.4] O472+.3[物理学类]