文献类型：期刊文章

作　　者：李玲霞[1] 郭炜[1] 吴霞宛[1] 王洪儒[1] 张志萍[1] 余昊明[1]

机构地区：[1]天津大学电子信息学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津300072

出　　处：《无机材料学报》

基　　金：国家自然科学基金(50172035)

年　　份：2004

卷　　号：19

期　　号：4

起止页码：823-826

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI(收录号：2004488687224)、IC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000223775600019)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000223775600019)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：Ag2O-Nb2O5-Ta2O5陶瓷系统(简称ANT)是一种新型的高频高介陶瓷材料,可以在1150℃以下进行中温烧结。在本系统中,添加Na+离子置换ANT系统中的A位A+离子形成ANNT系统,通过XRD,SEM以及能谱分析发现,少量Na+添加,导致晶格参数下降,即八面体空隙的体积将减小,从而抑制了Nb5+的松弛极化,有效地降低了ANT系统的损耗因子,使系统的介电性能达到:ε>500,tg δ≤5×10-4,容量温度系数αc=+12ppm/℃,ρv>1012Ωcm。

关 键 词：高频高介  ANT 松弛极化  介电损耗

分 类 号：TQ174]