期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]杭州士兰微电子股份有限公司,浙江杭州310012 [2]中国计量学院质量与安全工程学院,浙江杭州310018
年 份:2010
卷 号:21
期 号:3
起止页码:257-262
语 种:中文
收录情况:AJ、CSA、CSA-PROQEUST、IC、PROQUEST、普通刊
摘 要:通过随机存取存储器(RAM)物理电路缺陷分析,建立了RAM故障模型.在RAM故障模型的基础上,分析了传统RAM测试算法MARCH-C算法的不足和缺陷,提出了改进的MARCH-C算法.该算法不但适用于面向位的测试,而且适用于面向字节或字的RAM测试.基于该算法,构建了用于SOC片内RAM和通用RAM的系统测试方案.实验表明,RAM故障模型和改进的MARCH-C算法的有效性.
关 键 词:随机存取存储器检测 故障模型 故障表现
分 类 号:TP333]
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