文献类型：期刊文章

作　　者：孙可平[1] 苗凤娟[1]

机构地区：[1]上海海事大学电磁兼容与静电研究室,上海200135

出　　处：《北京理工大学学报》

基　　金：上海市科技基金资助项目(031Z01)

年　　份：2005

卷　　号：25

期　　号：z1

起止页码：38-40

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、MR、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：在IC器件氧化绝缘层介质击穿物理模型的基础上,讨论了人体带电放电模型(HBM ESD)中的波动电压 加于氧化层上时的介质击穿．发现了氧化层上的俘获空穴密度临界值随薄膜厚度的变化十分敏感,当厚度由 0．010 μm减少至0．003 μm时,俘获空穴密度临界值由0．100 C／cm2减少至0．002 C／cm2．相应地,IC器件抗ESD 的性能也急剧下降．

关 键 词：静电放电 HBM模型  介质击穿

分 类 号：O482.4]