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期刊文章详细信息

高压换流阀可控硅组件均压特性的研究    

Study on Voltage Equalizing Characters of Controlled Silicon for HV Converter Valve

  

文献类型:期刊文章

作  者:赵中原[1] 朱周侠[1] 邱毓昌[1] 于永明[2] 王建生[2]

机构地区:[1]西安交通大学,西安市710049 [2]西安高压电器研究所,西安市710077

出  处:《电力建设》

基  金:国家"十五"重大科技攻关资助项目 (980 5 0 2B)

年  份:2002

卷  号:23

期  号:12

起止页码:39-41

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2000、CSA、CSA-PROQEUST、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:高压直流输电系统用可控硅换流阀要求在各种条件下都能稳定运行 ,这必须合理地选择可控硅辅助电路参数来保证系统的稳定操作 ,并降低可控硅换流阀的能量损耗。用可控硅宏模型对换流阀内的一个可控硅模块进行动态仿真研究 ,综合考虑可控硅的开通、关断特性以及可控硅换流时电压振荡特性和器件的能量损耗 。

关 键 词:换流阀 可控硅 缓冲电路 优化参数  

分 类 号:TM712]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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