文献类型：期刊文章

作　　者：金飞[1] 张维佳[1] 贾士亮[1] 丁照崇[1] 闫兰琴[1] 王天民[1] 李国华[2]

机构地区：[1]北京航空航天大学理学院,凝聚态物理与材料物理研究中心,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》

年　　份：2007

卷　　号：28

期　　号：z1

起止页码：333-336

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法分别制备了本征、掺磷和掺硼的氢化纳米硅薄膜(nc-Si:H),并制备出纳米硅复合层状薄膜.对薄膜样品进行了喇曼(Raman)散射谱,X射线衍射等分析测试.结果表明:掺杂元素对纳米硅薄膜的晶态比和晶粒大小存在不同程度的影响;通过薄膜表面衍射(XRD)可得到硅的(111),(220)和(311)三个晶面衍射峰;并在制得的纳米硅复合层状薄膜的基础上,制备了结构为Al/ITO/n+-nc-Si:H/i-nc-Si:H/p-c-Si/Al/Ag的太阳能电池.该电池的开路电压、短路电流和填充因子与非晶硅太阳电池相比,均得到很大的提高.

关 键 词：PECVD 太阳能电池 半导体薄膜

分 类 号：TM914.4]