文献类型：期刊文章

作　　者：刘松民[1] 顾书林[1] 朱顺明[1] 叶建东[1] 刘伟[1] 张荣[1] 郑有炓[1]

机构地区：[1]江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京,210093 江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京,210093 江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京,210093 江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京,210093 江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京,210093 江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京,210093 江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京,210093

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:G001CB3095)和国家自然科学基金(批准号:60576017,60390073,50532100)资助项目

年　　份：2007

卷　　号：28

期　　号：z1

起止页码：309-311

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用基于计算流体力学(CFD)的数值计算方法,对自制的生长ZnO的MOCVD(金属有机物化学气相淀积)反应室内的流场进行了三维数值模拟和分析.数值模拟采用有限体积差分方法对系统的控制方程进行离散.通过解决流体的能量、动量、质量和物种守恒方程,研究了气体入口的倾斜角度对衬底表面淀积的ZnO分布的影响,并研究了不同的衬底位置对生长速率的影响.计算结果对ZnO-MOCVD系统结构的优化提供了一个有力的参考依据.

关 键 词：ZNO MOCVD 数值模拟

分 类 号：TN304.054]