文献类型：期刊文章

作　　者：孟慧[1] 王聪[1]

机构地区：[1]北京航空航天大学理学院,凝聚态物理与材料物理研究中心,北京,100083 北京航空航天大学理学院,凝聚态物理与材料物理研究中心,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50471004),新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-05-0197)和北京大学工程院研究基金(批准号:204031)资助项目

年　　份：2007

卷　　号：28

期　　号：z1

起止页码：267-270

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用化学气相沉积(CVD)方法,通过金属Sn粉和Zn粉在770℃下与氧气直接反应,以金为催化剂,成功地在硅片基底上制备了Zn掺杂的SnO2纳米线.对其制备参数进行了优化,获得了分布均匀、表面光滑的纳米线,其平均直径约为50nm,长度可达几十微米.并利用X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDX)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等设备对其形貌、结构特征进行了表征.

关 键 词：SnO2纳米线  化学气相沉积 Zn掺杂  

分 类 号：TN304.2+1]