文献类型：期刊文章

作　　者：斯剑霄[1,2] 吴惠桢[1] 徐天宁[1] 曹春芳[1]

机构地区：[1]浙江大学物理系,硅材料国家重点实验室,杭州310027 [2]浙江师范大学数理信息学院,金华321004

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10434090)和教育部博士点基金(批准号:20060335035)资助项目

年　　份：2007

卷　　号：28

期　　号：z1

起止页码：99-102

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用分子束外延技术生长了非人为掺杂的PbSe单晶薄膜,研究了薄膜中声子散射对空穴迁移率的影响.并用霍尔效应和变温电阻率测量方法分析了电学特性,得到PbSe薄膜均具有P型导电性,载流子浓度为(5～8)×1017cm-3,室温空穴迁移率为～300cm2/(V·s),随温度降低迁移率增大,77K温度下的迁移率达到3×10cm2/(V·s).通过对PbSe薄膜中的载流子散射机理的理论分析,表明在77～295K温度范围内,PbSe的长纵光学波散射是影响载流子迁移率的主要机制.同时,Raman光谱测量显示,在温度≥203K时,不仅观察到了PbSe长纵光学声子散射LO(Г),还观察到了其他光学声子的散射,这些观察到的声子散射影响了PbSe的空穴迁移率.

关 键 词：PbSe薄膜  迁移率 光学波散射  

分 类 号：TN304.2]