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期刊文章详细信息

0.5μm CMOS工艺LVDS单芯片收发器设计    

Design of LVDS Monolithic Transceiver in 0.5μm CMOS Technology

  

文献类型:期刊文章

作  者:徐勇[1] 黄德强[1] 赵斐[2] 关宇[1] 徐志军[3]

机构地区:[1]解放军理工大学理学院基础电子学系,江苏南京211101 [2]解放军理工大学气象学院探测与信息工程系,江苏南京211101 [3]解放军理工大学通信工程学院电子信息工程系,江苏南京210007

出  处:《军事通信技术》

年  份:2009

卷  号:30

期  号:3

起止页码:55-58

语  种:中文

收录情况:普通刊

摘  要:设计实现了一种低压差分信号(LVDS)单芯片收发器接口电路。由于采用低压差分信号传输技术,在获得更高收发器芯片传输速率的同时进一步降低了功耗。为了获得稳定的共模输出,发射机方案中电路采用了共模负反馈环路控制结构,共模输出稳定于内部集成带隙基准电压。收信机采用两级增益折叠式共源共栅放大器结构实现。整个收发器芯片采用3.3 V,华润上华0.5μm CMOS工艺设计实现,芯片测试最高速率达600 Mbps时相应功耗电流仅4 mA。

关 键 词:低压差分信号 高速  低功耗

分 类 号:TN432]

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同被引文献:

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