期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]武汉工程大学材料学院,湖北武汉430073 [2]湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,湖北武汉430073
基 金:湖北省教育厅Q20081505项目的资助;武汉工程大学绿色化工过程省部共建教育部重点实验室开放基金RGCT200801的资助。
年 份:2008
卷 号:14
期 号:3
起止页码:134-139
语 种:中文
收录情况:ZGKJHX、普通刊
摘 要:含Ⅲ族与Ⅴ族元素掺杂的金刚石是宽禁带的半导体材料,同时具有优异的物理和化学特性,在电子器件与光电子器件方面的应用具有极大潜力,成为近几年来国内外研究的热点之一。介绍了目前常用的掺杂方法、技术水平及金刚石半导体的应用前景。
关 键 词:金刚石薄膜 掺杂 半导体 N型 P型
分 类 号:TN304.055]
参考文献:
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