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期刊文章详细信息

CVD金刚石薄膜半导体材料的研究进展    

DEVELOPMENT OF SYNTHESIZING CVD DIAMOND FILMS FOR SEMICONDUCTOR MATERIALS

  

文献类型:期刊文章

作  者:孙蕾[1] 满卫东[2] 汪建华[2] 谢鹏[1] 熊礼威[2] 李远[1]

机构地区:[1]武汉工程大学材料学院,湖北武汉430073 [2]湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,湖北武汉430073

出  处:《真空与低温》

基  金:湖北省教育厅Q20081505项目的资助;武汉工程大学绿色化工过程省部共建教育部重点实验室开放基金RGCT200801的资助。

年  份:2008

卷  号:14

期  号:3

起止页码:134-139

语  种:中文

收录情况:ZGKJHX、普通刊

摘  要:含Ⅲ族与Ⅴ族元素掺杂的金刚石是宽禁带的半导体材料,同时具有优异的物理和化学特性,在电子器件与光电子器件方面的应用具有极大潜力,成为近几年来国内外研究的热点之一。介绍了目前常用的掺杂方法、技术水平及金刚石半导体的应用前景。

关 键 词:金刚石薄膜 掺杂 半导体 N型 P型

分 类 号:TN304.055]

参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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