文献类型：期刊文章

作　　者：S.埃克尔[1] M.雷西莫[1] E.齐普拉柯夫[1] D.施内德[1] U.施拉普巴赫[1] E.卡洛尔[1] 梁苏军[2]

机构地区：[1]ABB公司半导体分部 [2]北京国安电气总公司

出　　处：《电力电子》

年　　份：2004

卷　　号：0

期　　号：6

起止页码：27-32

语　　种：中文

收录情况：内刊

摘　　要：介绍了额定电压达4500V、额定电流达2000A的新型压接式封装IGBT(PPI)。在这种新器件的开发期间,特别强调系统制造商易于使用的可选用性。为了便于把压接式封装的IGBT紧固在长的骨架上,其机械设计是精心优化的。即使在骨架上的紧固会发生某些不均匀现象,这种压接式封装的IGBT由于其独特的设计,对每个芯片都用单独的压针压紧,因而它们都会发挥其完善的功能。进而,材料的选择也得到优化,以保证在野外也能达到极高的可靠性。在功率循环次数及在故障情况下运行之间的折中平衡点亦已被推向新的限界。这里的IGBT和二极管二者的芯片都是基于SPT(软穿通)技术。先进的IGBT平面元胞设计同二极管精密的寿命控制工程相结合,这样的芯片就具备了崭新的安全工作区。这就大大便利了系统设计,使原先使用的夹具或减振器成为过时。

关 键 词：IGBT 压接式封装  压接式封装IGBT  功率循环  短路失效模式  模块化率  安全工作区

分 类 号：TN386]