文献类型：期刊文章

作　　者：刘彩霞[1] 徐朝鹏[1] 徐玉恒[1]

机构地区：[1]哈尔滨工业大学,理学院应用化学系,黑龙江,哈尔滨,150001 哈尔滨工业大学,理学院应用化学系,黑龙江,哈尔滨,150001 哈尔滨工业大学,理学院应用化学系,黑龙江,哈尔滨,150001

出　　处：《功能材料》

基　　金：国家973资助项目项目(G19990330);国家863计划资助项目(2001AA31304)

年　　份：2004

卷　　号：35

期　　号：z1

起止页码：3090-3092

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在SBN中掺进0.1%(质量分数)CeO2和0.1%(质量分数)Eu2O3,以Czochralski技术生长Ce:Eu:SBN晶体,在空气中退火24h,退火温度为1300℃.测试Ce:Eu:SBN晶体的住相共轭反射率和响应时间.Ce:Eu:SBN晶体最大位相共轭反射率(R=92%)和响应时间(38s),以Ce:Eu:SBN晶体作为存储元件和位相共轭镜(阈值,增益反馈系统)进行全息关联存储实验.系统具有实时处理、反复使用、成像质量好、信噪比高等优点.Ce:Eu:SBN晶体是比SBN晶体全息存储性能更好的晶体.

关 键 词：CE Eu:SBN晶体  全息存储性能 位相共轭

分 类 号：O731]