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期刊文章详细信息

纳米氧化锌半导体块材晶粒生长的研究  ( EI收录)  

Grain growth of nano-sized semiconductor ZnO bodies

  

文献类型:期刊文章

作  者:秦秀娟[1,2] 邵光杰[1,2] 王文魁[2] 刘日平[2]

机构地区:[1]燕山大学环境与化学工程系,河北秦皇岛066004 [2]河北省亚稳材料制备技术与科学重点实验室,河北秦皇岛066004

出  处:《功能材料》

基  金:燕山大学科技发展基金的资助(YDJJ2031).

年  份:2004

卷  号:35

期  号:z1

起止页码:1201-1204

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:以平均粒径20nm的ZnO超微粉为原料,研究了纳米ZnO块材烧结过程中的晶粒生长行为,由实验结果得出:在700~900℃温度范围内,纳米ZnO烧结的晶粒生长动力学指数n为6,晶粒生长的表观活化能Q为64kJ/mol,导出了纳米ZnO的晶粒生长动力学方程.与粗晶ZnO的晶粒生长进行了对比,初步分析了纳米ZnO的烧结机制.

关 键 词:纳米烧结  ZnO纳米块材  晶粒生长的动力学指数  表观活化能

分 类 号:TN304.21] TB383[材料类]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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