文献类型：期刊文章

作　　者：方志鸣[1]

机构地区：[1]黄山学院物理系,安徽黄山245021

出　　处：《合肥工业大学学报（自然科学版）》

基　　金：安徽省教育厅自然科学基金资助项目(2000jl235)

年　　份：2004

卷　　号：27

期　　号：11

起止页码：1485-1488

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、MR、RCCSE、ZGKJHX、ZMATH、普通刊

摘　　要：文章跟踪微电子技术的发展对深亚微米各技术时代ULSI的发展历程中所遇到的一些材料、技术物理问题及研究成果进行综述评论,。这些问题包括Cu/低ε介质互连系统、CMOS器件运作的内在结构及电接触问题、高ε栅极氧化物材料、SOI、SiGe、SiGe-OI以及大直径硅单晶片等。微电子技术的发展已逼近微电子器件的物理极限,并将逐步发展到它的下一代——纳米电子器件,人类对物质世界的认识也将提高到一个新阶段。

关 键 词：Cu/低ε互连系统  高ε栅极材料  绝缘层上的硅(SOI)  

分 类 号：TN350]