文献类型：期刊文章

作　　者：张洪涛[1,2] 陈坤[1] Lemmer U[2] Bastian G[2]

机构地区：[1]湖北工业大学电气与电子工程学院通信工程系,武汉430068 [2]College of Electronics and Information Technology,Karlsruhe University 76121,Germany

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：湖北省教育厅重大项目(批准号:2001Z01007),湖北工业大学博士科研启动基金,湖北省教育厅重点项目(批准号:I200614002),湖北省教育厅国际交流合作项目(批准号:鄂教外2006[5]),教育部重点科技项目(批准号:教育部206095)和教育部留学回国人员科研启动基金资助项目

年　　份：2006

卷　　号：27

期　　号：z1

起止页码：117-119

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用改进的PECVD技术首次制备出六角多型SiC纳米晶须.高分辨率电镜观察其直径在18～50 nm之间,长度为0.3μm～6mm.Raman光谱表明它是六角多型(4H)纳米SiC晶须.紫外光激发出现高强度蓝光发射.同时在550～620 nm和700～750 nm处分别出现两宽带发射,经计算其中蓝光发射带,4H-SiC带隙为3.98eV,这一发光现象与量子力学计算结果不符,说明了SiC晶须光学性质的特殊性.

关 键 词：纳米晶须 六角多型SiC  光学性质 量子光学

分 类 号：TP211]