文献类型：期刊文章

作　　者：杭孝东[1] 周燕[1] 沈学宁[1] 黄发荣[1] 杜磊[1]

机构地区：[1]华东理工大学国防材料工程研究所,上海200237

出　　处：《宇航材料工艺》

年　　份：2008

卷　　号：38

期　　号：3

起止页码：54-57

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用三氯硅烷水解缩合法合成了含八氢基的笼形倍半硅氧烷(T8H8),并用T8H8合成了多乙烯基硅氧烷笼形倍半硅氧烷(DVS-POSS)树脂,采用FT-IR、1H-NMR、29Si-NMR等手段对其结构进行了表征;探讨了T8H8与二乙烯基硅氧烷(DVS)的加成反应。研究表明,固化的DVS-POSS具有良好的耐热性能,Td5超过530℃;DVS-POSS树脂复合材料具有优良的介电性能,在9.75MHz下,ε为3.02,tgδ为2.4×10-3。

关 键 词：笼形倍半硅氧烷 二乙烯基硅氧烷  加成反应 耐热树脂

分 类 号：TB332[材料类]