文献类型：期刊文章

作　　者：陈兢[1]

机构地区：[1]北京大学微米/纳米加工技术国家重点实验室,北京,100871

出　　处：《中国机械工程》

年　　份：2005

卷　　号：16

期　　号：z1

起止页码：476-478

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：对影响电感耦合等离子(ICP)刻蚀侧壁形貌的工艺参数进行了分析,通过改变刻蚀/钝化周期、平板电极功率、钝化气体C4F8流量以及重叠周期等工艺参数,对侧壁的形貌进行调整.通过实验,得到了控制侧壁形貌正负的优化方案,并极大地减小了Bowing效应;提出一种消除Notching效应的新方法,并用于深槽隔离工艺,取得了很好的效果.

关 键 词：微机电系统 电感耦合等离子(ICP)刻蚀  深反应离子刻蚀(DRIE)  侧壁形貌  Notching效应  Bowing效应  

分 类 号：TN305.95]