期刊文章详细信息
P^+PIN结构的650nm光电探测器的研究
Study of a P^+PIN Structure 650nm Photodetector
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室,重庆400030 [2]重庆电子职业技术学院电子工程系,重庆400021
年 份：2007
卷 号：20
期 号：10
起止页码：2218-2221
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：研究了一种新型P+PIN结构的硅650nm光电探测器,采用N型硅衬底,经过氧化光刻后,先作一次很薄淡硼扩散,再进行浓硼扩散,这样形成高低发射结的方法,减薄死层厚度,减少光生载流子的复合,提高了光电转换效率,从而使光谱响应度从普通650nm光电探测器的0.30A/W提高到了0.380A/W,且具有约279MHz的较高响应速度.
关 键 词：光电探测器 光学吸收 响应度 P+PIN
分 类 号：TN364]
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