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V,Cr掺杂CdSe铁磁半导体的电子能态密度和半金属性质研究
Studying on Density of Electronic States and Half-Metallic Property of V-and Cr-Coded CdSe Ferromagnetic Semiconductors
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]重庆文理学院物理系,重庆永川402160 [2]西南大学物理科学与技术学院,重庆400715
年 份：2006
卷 号：31
期 号：6
起止页码：68-71
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、MR、RCCSE、ZGKJHX、核心刊
摘 要：在共轭梯度近似(GGA)下,采用第一性原理平面波赝势方法,对V和Cr掺杂闪锌矿CdSe半导体的基态电子能态密度和磁性进行了研究.结果表明,掺入磁性过渡金属V和Cr后的CdSe明显具有铁磁性,每个超晶胞的总磁矩为3.0和4.0μB,而且呈现出显著的半金属特征.这对在半导体工业中实现自旋载流子注入具有一定的理论价值.
关 键 词：第一性原理 稀磁半导体 电子能态密度 半金属相
分 类 号：O472.5]
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