文献类型：会议

作　　者：崔怀洋 吴坚 黄梦 宁永强 钱建强

作者单位：北京航空航天大学物理科学与核能工程学院,微纳测控与低维物理教育部重点实验室,北京,100191,北京市海淀区学院路37号 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春,130033,吉林省长春市东南湖大路3888号

会议文献：2011全国光电子与量子电子学技术大会论文集

会议名称：2011全国光电子与量子电子学技术大会

会议日期：20110318

会议地点：北京

主办单位：中国电子学会

出版日期：20110318

语　　种：中文

摘　　要：本文通过建立电阻和二极管复合网络模型，计算研究了含限流层的980nm大孔径底发射VCSEL激光器注入电流输运分布规律及其调控，以改进器件的横向增益分布和近场光学模式。计算结果表明，在大孔径器件的设计中，限流孔靠近激光有源区可以有效提高注入电流的利用率;减小p电极半径可以使注入电流分布向中央汇合，从而有利于获得近场光强分布更为均匀的低阶模或准基模输出;增加器件厚度也会有利于减小p电极半径边缘附近的电流峰值，使电流分布进一步向中心会聚，有利于形成近高斯的分布形式。

关 键 词：垂直腔面发射激光器 注入电流 输运分布  调控机制  

分 类 号：TN248]