会议论文详细信息
钛掺杂氮化铝基稀磁半导体薄膜的制备
文献类型：会议
作者单位：新疆大学物理科学与技术学院,材料物理研究中心,乌鲁木齐,830046
会议文献：第十八届全国半导体物理学术会议论文集
会议名称：第十八届全国半导体物理学术会议
会议日期：20110802
会议地点：呼和浩特
主办单位：中国物理学会
出版日期：20110802
语 种：中文
摘 要：本文介绍了采用共溅法制备Ti掺杂AlN薄膜的方法，并通过X射线衍射(X-ray diffraction ， XRD)进行表征。
关 键 词：稀磁半导体 氮化铝薄膜 钛掺杂工艺 射频磁控溅射技术
分 类 号：TN304.2]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
