文献类型：会议

作　　者：杨洁 陈东生 郑玲玲 杜汇伟 周平华 石建伟 徐飞 马忠权

作者单位：上海大学索朗光伏材料与器件研发联合实验室，上海 200444 上海大学索朗光伏材料与器件研发联合实验室，上海 200444 上海电力学院数理学院物理实验中心，上海 200090

会议文献：2011年第三届全国光学青年学术会议论文集

会议名称：2011年第三届全国光学青年学术会议

会议日期：20111111

会议地点：成都

主办单位：中国光学学会

出版日期：20111111

语　　种：中文

摘　　要：本文利用光致发光(PL)分析快速热退火对Cu(In，Ga)Se2(CIGS)电池的影响，研究退火对薄膜缺陷的影响。Cu(In，Ga)Se2电池的PL谱中总共有7个峰，即2个可见波段峰和5个红外波段峰。退火温度较低，可减少薄膜体内缺陷，提高载流子浓度，改善薄膜质量;退火温度过高，则会引起正常格点处元素扩散，元素化学计量比改变，体内缺陷增加，吸收层带隙降低，反而会对CIGS薄膜造成破坏。

关 键 词：太阳能电池 退火处理 光致发光 薄膜缺陷  

分 类 号：TM914.4] TM910.1