文献类型：会议

作　　者：靳瑞敏 李定珍 陈兰莉 罗鹏辉 卢景霄

作者单位：南阳理工学院,太阳能电池研究所,河南 南阳 473004 河南安彩高科股份有限公司博士后工作站,河南 安阳 455000 郑州大学材料物理教育部重点实验室,河南 郑州 450052 南阳理工学院,太阳能电池研究所,河南 南阳 473004 郑州大学材料物理教育部重点实验室,河南 郑州 450052

会议文献：第十二届全国固体薄膜会议论文集

会议名称：第十二届全国固体薄膜会议

会议日期：20101129

会议地点：南宁

主办单位：中国电子学会

出版日期：20101129

语　　种：中文

摘　　要：通过PECVD法在不同条件下直接沉积非晶硅(a-Si：H)薄膜，然后用光退火方法对非晶硅薄膜二次晶化，然后用Raman光谱和SEM分析对比，研究非晶硅薄膜和多晶硅薄膜的晶化情况，结果显示：适当条件下PECVD法直接沉积的非晶硅可以有部分结晶，但结晶不充分;光退火后薄膜结晶较充分。

关 键 词：PECVD法 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 拉曼光谱 扫描电镜

分 类 号：TN304.055]