会议论文详细信息
硅锗薄膜能带结构研究
文献类型：会议
作者单位：贵州大学物理学院,纳米光子物理研究所,贵阳,550025
会议文献：中国物理学会2016年秋季会议论文集
会议名称：中国物理学会2016年秋季会议
会议日期：20160901
会议地点：北京
主办单位：中国物理学会
出版日期：20160901
语 种：中文
摘 要：近年来，在研究硅和锗的发光特性时发现，低维纳米结构能使其能带发生变化并带来很强的PL发光，考虑到大量的实验制备通常形成的是纳米薄膜，本文以硅和锗的纳米薄膜为研究对象，通过第一性原理计算展现硅和锗薄膜的能带结构变化。
关 键 词：第一性原理 量子限制效应 直接带隙
分 类 号：TN3] O48]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
