会议论文详细信息
文献类型:会议
作者单位:长春理工大学理学院电子科学与技术系 吉林长春 130022 紫外发光材料与技术教育部重点实验室 东北师范大学 吉林长春 130024 紫外发光材料与技术教育部重点实验室 东北师范大学 吉林长春 130024
会议文献:第十四届全国发光学学术会议论文集
会议名称:第十四届全国发光学学术会议
会议日期:20161116
会议地点:上海
主办单位:中国物理学会;中国稀土学会
出版日期:20161116
语 种:中文
摘 要:宽禁带半导体ZnO是发展短波长发光和激光器件的理想材料,其室温下直接带隙为3.37eV,激子束缚能高达60 meV,有利于实现低阈值的激子激光器件.基于能带工程的思想,构建MgZnO 三元合金,可以实现对材料物理化学性质的剪裁和连续可调的带隙(3.37~7.8eV).我们基于ZnO 及MgZnO 合金体系开展了光发射器件方面的研究工作.
关 键 词:氧化锌 异质结 紫外 随机激光
分 类 号:TN3] TN2
参考文献:
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引证文献:
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同被引文献:
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