文献类型：会议

作　　者：李方 王三胜 乐小云 姜利祥 欧学东

作者单位：北京航空航天大学物理科学与核能工程学院微纳测控与低维物理教育部重点实验室 北京100191 北京卫星环境工程研究所 北京100094

会议文献：第16届全国荷电粒子源粒子束学术会议论文集

会议名称：第16届全国荷电粒子源粒子束学术会议

会议日期：20160923

会议地点：湖北宜昌

主办单位：中国电工技术学会;中国物理学会;中国电子学会

出版日期：20160923

语　　种：中文

摘　　要：在使用中低能离子束轰击注入材料样品时，样品表面会有一定的概率发生溅射。考虑了不同入射能量的质子、N、He和Ar离子轰击高温超导YBCO薄膜，利用SRIM程序系统，研究了存在溅射情况下YBCO靶体的原子位移率，并得到原子位移率随入射带电粒子射程及能量的变化趋势。通过模拟计算分析得到存在溅射效应的YBCO辐照损伤计算方法的质子、N、He和Ar离子能量适用范围。同时，对2-40keV能量的质子、N、He和Ar离子在高温超导YBCO薄膜引起的辐照损伤进行计算和分析，得到合理的结果。

关 键 词：离子束 原子位移率  高温超导 非电离能损  溅射

分 类 号：O77+4] O511