会议论文详细信息
稀土掺杂氮化物材料的制备和发光特性
文献类型：会议
作者单位：苏州科技大学数理学院物理系,苏州 215009 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123
会议文献：江苏省物理学会2017年春季学术会议论文集
会议名称：江苏省物理学会2017年春季学术会议
会议日期：20170519
会议地点：南京
主办单位：江苏省物理学会
出版日期：20170519
语 种：中文
摘 要：GaN 是一种直接带隙半导体,禁带宽度达3.4 eV,相对于其他窄带隙半导体如Si、GaAs等,稀土元素掺入后具有更高的发光效率和猝灭温度.因此,近年来稀土掺杂GaN 材料体系受到了研究者的重视.
关 键 词：稀土 氮化镓 发光
分 类 号：TN3] O47]
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