文献类型：会议

作　　者：付恩刚 吴早明 杜进隆 张建

作者单位：北京大学物理学院 北京大学核物理与核技术国家重点实验室 厦门大学能源学院核能研究所

会议文献：2018中国材料大会论文集

会议名称：2018中国材料大会

会议日期：20180712

会议地点：厦门

主办单位：中国材料研究学会

出版日期：20180712

语　　种：中文

摘　　要：界面能够作为陷阱捕获辐照引入的He离子和辐照引起缺陷,因此,理解界面在增强材料耐辐照性能方面的作用和机理对设计高耐辐照材料具有重要的意义.本文使用He离子同时辐照块体Nb片和生长在MgO(100)基片上的Nb薄膜,并研究界面对辐照损伤的影响.结果表明,在块体Nb片和Nb薄膜中,辐照引起的He泡密度随深度的分布不同.在Nb/MgO薄膜样品中,He泡的密度分布的峰值低于在其在块体Nb片中,且其峰值对应的深度大于在块体Nb片样品中.Nb/MgO界面的微观结构研究结果表明,Nb/MgO界面引起的晶格应力导致在Nb薄膜中Nb/MgO界面附近存在应力梯度,该应力梯度的存在促使辐照引入的He原子扩散系数不同.该研究将界面应力梯度和界面捕获辐照缺陷的能力结合起来,并从机制上理解了二者之间的相互关系,对于理解界面增强材料耐辐照性能具有重要的意义.

关 键 词：半共格界面  离子辐照 氦泡分布  应力梯度  

分 类 号：O42] TE6[物理学类]