会议论文详细信息
掺杂HfO2薄膜的室温铁电性研究
文献类型：会议
作者单位：山西师范大学材料科学研究院,临汾041004
会议文献：中国物理学会2018年秋季学术会议论文集
会议名称：中国物理学会2018年秋季学术会议
会议日期：20180913
会议地点：大连
主办单位：中国物理学会
出版日期：20180913
语 种：中文
摘 要：铁电材料因其具有铁电性、压电性和热释电性等特性,在信息技术各个领域都有着广泛应用.近年来,具有铁电性的掺杂HfO2薄膜由于其较大的带隙以及与Si工艺的良好兼容性引起人们的研究兴趣,目前 HfO2 基铁电薄膜还存在铁电极化率偏低、结构相变不够稳定等问题 1,2,3.
关 键 词：脉冲激光沉积 掺杂氧化铪薄膜 室温铁电性
分 类 号：O48] O47[物理学类]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
