文献类型：会议

作　　者：王韬 金浩 李建伟 卫亚东

作者单位：深圳大学物理与能源学院深圳市先进薄膜与应用重点实验室,深圳518060

会议文献：中国物理学会2018年秋季学术会议论文集

会议名称：中国物理学会2018年秋季学术会议

会议日期：20180913

会议地点：大连

主办单位：中国物理学会

出版日期：20180913

语　　种：中文

摘　　要：金属—半导体接触在现代电子器件中起着重要作用.然而,由于费米能级钉扎效应(FLPE)的存在,人们难以调节传统金属(例如Au,Ag和Cu)与半导体之间的肖特基势垒高度.在这里,我们选择单层NbS2作为与MoSe2/WSe2 双层异质结接触的电极.基于密度泛函理论和非平衡格林函数,讨论了界面性质以及堆积依赖性.考虑两种构型,即WSe2/MoSe2/NbS2和MoSe2/WSe2/NbS2的堆叠方式.我们的结果表明,可以在这些 2D金属—半导体结(MSJ)中形成欧姆接触.此外,所提出的系统的输运特性对堆叠的顺序较为敏感.对于WSe2/MoSe2/NbS2系统,电流、偏电压(I-V)曲线呈现线性关系,并且其电阻远低于MoSe2/WSe2/NbS2 MSJ.详细分析表明,输运特性与不同层之间的电子耦合相关联.在WSe2/MoSe2/NbS2配置中,观察到比较大的电子耦合,这有利于电荷转移并导致良好的欧姆接触.我们的工作可为下一代超薄和柔性器件的设计提供理论指导.

关 键 词：肖特基势垒 异质结 NbS2  MoSe2  WSe2  

分 类 号：TN3] TD5]