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封装级可靠性模型参数提取系统
文献类型：会议
作者单位：信息产业部电子第五研究所(广州) 西安电子科技大学微电子所
会议文献：第三届电子产品可靠性与环境实验技术经验交流会论文集
会议名称：第三届电子产品可靠性与环境实验技术经验交流会
会议日期：20010401
会议地点：陕西华阴
主办单位：中国电子学会
出版日期：20010401
语 种：中文
摘 要：研制了封装级可靠性模型参数提取系统,该系统用于生产过程的控制与评价,整个系统的功能包括介质击穿、金属化电迁移、PN结及欧姆孔链退化和MOS器件的阈值电压漂移四部分,提取的模型测试为失效分布和寿命分布,用该测试系统进行了电迁移和介质击穿的实际测试并提取了相应的可靠性与寿命时间参数.
关 键 词：可靠性模型 参数测试系统 封装级集成电路 参数提取
分 类 号：TN406]
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